• U盘新闻
  • 容量高达32GB!三星NAND进军40nm工艺

    作者:U盘装系统 文章来源:u盘装系统 发布时间:2016-01-05 23:50点击:

       据韩联社11日报道,三星电子成功开发出CTF(Charge Trap Flash)Nand技术,世界上首次实现了40纳米32千兆Nand闪存的商业化。

    容量高达32GB!三星NAND进军40nm工艺

     

     三星发表32Gb NAND Flash 未来将采40纳米制程生产

       三星电子负责半导体业务的总经理黄昌奎11日在首尔新罗酒店举行记者恳谈会并宣布称,已成功开发出了CTF技术并实现了40纳米32GNand闪存的商业化。

       三星电子2001年开始着手开发CTF技术。自1971年首次开发出非挥发性内存后,35年来用于实现商业化的一直是浮动栅(floating gate,闪存存储单元中存放电荷的部份)技术,而先进的CTF技术则克服了该技术的局限性。

       40纳米半导体技术是指,大小为发丝直径的三分之一的超微细技术;32千兆内存容量是指相当于世界65亿人口的5倍,即328亿个存储单位被集中在大拇指指甲大小的面积上。

       如果利用16片Nand闪存制作一张64千兆的内存卡,可储存的信息相当于3.6万张高清晰照片或40部电影及世界五大洋六大洲的地理信息、400年的报纸内容。

       另外,10张内存卡即可存储相当于我国国会图书馆220万本藏书的信息,将会开辟“掌上图书馆”时代。 
     
       三星电子(Samsung Electronics)宣布最新研发成果,发表NAND型快闪记忆体(Flash)容量倍增的32Gb产品,未来并将导入40奈米制程技术打造该产品,以及最新记忆体PRAM,宣称储存速度更上一层楼。

       身为全球NAND型Flash最大供应商的三星,自1999年起便极力研发扩大产品容量,使NAND型Flash容量得以每年倍增的速度增加,三星半导体事业群总裁黄昌圭日前向外界展示32Gb NAND型Flash,容量即较上一款16Gb倍增;三星在2005年10月曾宣布采用50奈米制程技术推出16Gb的NAND型Flash。

       除此之外,三星并且发表最新非挥发性记忆体PRAM,并且向外界展示512Mb的PRAM原型,该产品主要应用在数位装置储存资料速度更快,储存速度约为传统Flash的30倍,估计将于2008年问世。