全球存储行业领导者三星电子今日宣布，已率先开发出下一代“8GbLPDDR4移动DRAM”。三星电子新开发的超高速8Gb DRAM可为全球移动厂商提供最高集成度、最佳性能、以及最低功耗的新一代解决方案。在延长电池寿命的同时，使消费者享受到更快更便捷的操作体验，以及清晰度更高的屏幕画质。

　　“移动DRAM市场近年来正在迅速扩大，并有希望成为在整个DRAM市场中占最大比重的分支。我们希望此次全新推出的LPDDR4DRAM，能够对全球移动DRAM市场的持续发展做出贡献”， 三星电子存储器事业部战略营销部副社长全永铉表示，“我们将一如既往地领先业界同仁继续推出最先进的新一代移动DRAM芯片和解决方案，以便全球移动厂商适时推出革新性移动设备，为消费者提供最大便利。”

　　全新的8Gb LPDDR4 DRAM采用最先进的20纳米级工艺，由4个容量为8Gb 的芯片组成总容量为4GB的DRAM产品，能为客户提供当今市面上最佳的性能。同时，每个冲模有1GB的容量，达到了现在DRAM市场上最高的集成度。

　　值得一提的是，此次开发的8Gb LPDDR4 DRAM采用低电压摆幅中断逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)I/O接口。该标准由三星倡导，并已被固态技术协会(JEDEC，Joint Electron Device Engineering Council，Solid State Technology Association)指定为LPDDR4 DRAM的标准规范。在新的互连介面下，芯片的数据传输速度达到3200Mbps，为目前量产中的20纳米级LPDDR3 DRAM的两倍。由于该产品同时采用了1.1伏低耗电架构，在性能大幅提高的同时，可节省40%的功耗。与最快的LPDDR3和DDR3存储器相比，采用LPDDR4的产品，其系统性能将提高50%。借此，三星电子将进一步专注于清晰度高出Full HD 4倍的超高画质UHD大屏幕智能手机、平板电脑、超薄笔记本，以及高性能网络服务器等高端市场。

　　在移动DRAM市场，三星电子在4Gb和6Gb LPDDR3 DRAM领域占有主导地位。继今年11月份在业界率先推出世界最小最薄的3GB LPDDR3产品之后，三星电子将在明年起正式供应8Gb LPDDR4 DRAM，预计此举将推动大容量DRAM市场占比迅速扩大。

　　今后，三星电子计划进一步扩大世界最小型20纳米级大容量(8Gb/6Gb/4Gb)移动DRAM的产品阵容，在保持产品竞争优势的同时，继续抢占高端市场。

（作者：Tam责任编辑：王冬晖）

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