三、内存术语解释

BANK:BANK是指内存插槽de计算单位(也有人称为记忆库),它是计算机系统与内存间资料汇流de基本运作单位.

内存de速度:内存de速度是以每笔CPU与内存间数据处理耗费de时间来计算,为总线循环(bus cycle)以奈秒(ns)为单位.

内存模块 (Memory Module):提到内存模块是指一个印刷电路板表面上有镶嵌数个记忆体芯片chips,而这内存芯片通常是DRAM芯片,但近来系统设计也有使用快取隐藏式芯片镶嵌在内存模块上内存模块是安装在PC de主机板上de专用插槽(Slot)上镶嵌在Module上DRAM芯片(chips)de数量和个别芯片(chips)de容量,是决定内存模块de设计de主要因素.

SIMM (Single In-line Memory Module):电路板上面焊有数目不等de记忆IC,可分为以下2种型态:

72PIN:72脚位de单面内存模块是用来支持32位de数据处理量.

30PIN:30脚位de单面内存模块是用来支持8位de数据处理量.

DIMM (Dual In-line Memory Module):(168PIN) 用来支持64位或是更宽de总线,而且只用3.3伏特de电压,通常用在64位de桌上型计算机或是服务器.

RIMM:RIMM模块是下一世代de内存模块主要规格之一,它是Intel公司于1999年推出芯片组所支持de内存模块,其频宽高达1.6Gbyte/sec.

SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) (144PIN): 这是一种改良型deDIMM模块,比一般deDIMM模块来得小,应用于笔记型计算机、列表机、传真机或是各种终端机等.

PLL: 为锁相回路,用来统一整合时脉讯号,使内存能正确de存取资料.

Rambus 内存模块 (184PIN): 采用Direct RDRAMde内存模块,称之为RIMM模块,该模块有184pin脚,资料de输出方式为串行,与现行使用deDIMM模块168pin,并列输出de架构有很大de差异.

6层板和4层板(6 layers V.S. 4 layers): 指de是电路印刷板PCB Printed Circuit Board用6层或4层de玻璃纤维做成,通常SDRAM会使用6层板,虽然会增加PCBde成本但却可免除噪声de干扰,而4层板虽可降低PCBde成本但效能较差.

Register:是缓存器de意思,其功能是能够在高速下达到同步de目de.

SPD:为Serial Presence Detect de缩写,它是烧录在EEPROM内de码,以往开机时BIOS必须侦测memory,但有了SPD就不必再去作侦测de动作,而由BIOS直接读取 SPD取得内存de相关资料.

Parity和ECCde比较:同位检查码(parity check codes)被广泛地使用在侦错码(error detection codes)上,他们增加一个检查位给每个资料de字元(或字节),并且能够侦测到一个字符中所有奇(偶)同位de错误,但Parity有一个缺点,当计算机查到某个Byte有错误时,并不能确定错误在哪一个位,也就无法修正错误.

缓冲器和无缓冲器(Buffer V.S. Unbuffer):有缓冲器deDIMM 是用来改善时序(timing)问题de一种方法无缓冲器deDIMM虽然可被设计用于系统上,但它只能支援四条DIMM.若将无缓冲器deDIMM用于速度为100Mhzde主机板上de话,将会有存取不良de影响.而有缓冲器deDIMM则可使用四条以上de内存,但是若使用de缓冲器速度不够快de话会影响其执行效果.换言之,有缓冲器deDIMM虽有速度变慢之虞,但它可以支持更多DIMMde使用.

自我充电 (Self-Refresh):DRAM内部具有独立且内建de充电电路于一定时间内做自我充电, 通常用在笔记型计算机或可携式计算机等de省电需求高de计算机.

预充电时间 (CAS Latency):通常简称CL.例如CL=3,表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时,所需de准备时间为3个外部时脉 (System clock).CL2与CL3de差异仅在第一次读取资料所需准备时间,相差一个时脉,对整个系统de效能并无显著影响.

时钟信号 (Clock怎么样用u盘装系统):时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用,同步记忆体de存取动作必需与时钟信号同步.

电子工程设计发展联合会议 (JEDEC):JEDEC大部分是由从事设计、发明de制造业尤以有关计算机记忆模块所组成de一个团体财团,一般工业所生产de记忆体产品大多以JEDEC所制定de标准为评量.

只读存储器ROM (Read Only Memory):ROM是一种只能读取而不能写入资料之记 W体,因为这个特所以最常见de就是主机板上de BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备de基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口,所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM):为一种将资料写入后即使在电源关闭de情况下,也可以保留一段相当长de时间,且写入资料时不需要另外提高电压,只要写入某一些句柄,就可以把资料写入内存中了.

EPROM (Erasable Programmable ROM):为一种可以透过紫外线de照射将其内部de资料清除掉之后,再用烧录器之类de设备将资料烧录进 EPROM内,优点为可以重复de烧录资料.

程序规画de只读存储器 (PROM):是一种可存程序de内存,因为只能写一次资料,所以它一旦被写入资料若有错误,是无法改变de且无法再存其它资料,所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用.

MASK ROM:是制造商为了要大量生产,事先制作一颗有原始数据deROM或EPROM当作样本,然后再大量生产与样本一样de ROM,这一种做为大量生产deROM样本就是MASK ROM,而烧录在MASK ROM中de资料永远无法做修改.

随机存取内存RAM ( Random Access Memory):RAM是可被读取和写入de内存,我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料,这和ROM内存有所不同.但是RAM必须由稳定流畅de电力来保持它本身de稳定性,所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头de资料将随之消失.

动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory):DRAM 是Dynamic Random Access Memory de缩写,通常是计算机内de主存储器,它是而用电容来做储存动作,但因电容本身有漏电问题,所以内存内de资料须持续地存取不然(计算机网络技术)

资料会不见.

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM):是改良deDRAM,大多数为72IPN或30PINde模块,FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages,从512 bite 到数 Kilobytes 不等,它特色是不需等到重新读取时,就可读取各page内de资

料.

EDO DRAM (Extended Data Out DRAM):EDOde存取速度比传统DRAM快10%左右,比FPM快12到30倍一般为72PIN、168PINde模块.

SDRAM:Synchronous DRAM 是一种新deDRAM架构de技术;它运用晶片内declock使输入及输出能同步进行.所谓clock同步是指记忆体时脉与CPUde时脉能同步存取资料.SDRAM节省执行指令及数据传输de时间,故可提升计算机效率.

DDR:DDR 是一种更高速de同步内存,DDR SDRAM为168PINdeDIMM模块,它比SDRAMde传输速率更快, DDRde设计是应用在服务器、工作站及数据传输等较高速需求之系统.

DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM):DDRII 是DDR原有deSLDRAM联盟于1999年解散后将既有de研发成果与DDR整合之后de未来新标准.DDRIIde详细规格目前尚未确定.

DRDRAM (Direct Rambus DRAM):是下一代de主流内存标准之一,由Rambus 公司所设计发展出来,是将所有de接脚都连结到一个共同deBus,这样不但可以减少控制器de体积,已可以增加资料传送de效率.

RDRAM (Rambus DRAM):是由Rambus公司独立设计完成,u盘装系统步骤它de速度约一般DRAMde10倍以上,虽有这样强de效能,但使用后内存控制器需要相当大de改变,所以目前这一类de内存大多使用在游戏机器或者专业de图形加速适配卡上.

VRAM (Video RAM):与DRAM最大de不同在于其有两组输出及输入口,所以可以同时一边读入,一边输出资料.

WRAM (Window RAM):属于VRAMde改良版,其不同之处在于其控制线路有一、二十组de输入/输出控制器,并采用EDOde资料存取模式.http://www.upzxt.com

MDRAM (Multi-Bank RAM):MIDRAM de内部分成数个各别不同de小储存库 (BANK),也就是数个属立de小单位矩阵所构成.每个储存库之间以高于外部de资料速度相互连接,其应用于高速显示卡或加速卡中.

静态随机处理内存 SRAM (Static Random Access Memory):SRAM 是Static Random Access Memory de缩写,通常比一般de动态随机处理内存处理速度更快更稳定.所谓静态de意义是指内存资料可以常驻而不须随时存取.因为此种特性,静态随机处理内存通常被用来做高速缓存.

Async SRAM:为异步SRAM这是一种较为旧型deSRAM,通常被用于电脑上de Level 2 Cache上,它在运作时独立于计算机de系统时脉外.

Sync SRAM:为同步SRAM,它de工作时脉与系统是同步de.

SGRAM (Synchronous Graphics RAM):是由SDRAM再改良而成以区块Block为单位,个别地取回或修改存取de资料,减少内存整体读写de次数增加绘图控制器.

高速缓存 (Cache Ram):为一种高速度de内存是被设计用来处理运作CPU.快取记忆体是利用 SRAM de颗粒来做内存.因连接方式不同可分为一是外接方式(External)另一种为内接方式(Internal).外接方式是将内存放在主机板上也称为Level 1 Cache而内接方式是将内存放在CPU中称为Level 2 Cache.

PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association):是一种标准de卡片型扩充接口,多半用于笔记型计算机上或是其它外围产品,其种类可以分为:

Type 1:3.3mmde厚度,常作成SRAM、Flash RAM de记忆卡以及最近打印机所使用deDRAM记忆卡.

Type 2:5.5mmde厚度,通常设计为笔记计算机所使用de调制解调器接口(Modem).

Type 3:10.5mmde厚度,被运用为连接硬盘deATA接口.

Type 4:小型dePCMCIA卡,大部用于数字相机.

FLASH:Flash内存比较像是一种储存装置,因为当电源关掉后储存在Flash内存中de资料并不会流失掉,在写入资料时必须先将原本de资料清除掉,然后才能再写入新de资料,缺点为写入资料de速度太慢.

重新标示过de内存模块(Remark Memory Module):在内存市场许多商家都会贩售重新标示过de内存模块,所谓重新标示过de内存模块就是将芯片Chip上de标示变更过,使其所显示出错误de讯息以提供商家赚取更多de利润.一般说来,业者会标示成较快de速度将( -7改成-6)或将没有厂牌de改为有厂牌de.要避免购买到这方面de产品,最佳de方法就是向好声誉de供货商来购买顶级芯片制造商产品.

内存de充电 (Refresh):主存储器是DRAM组合而成,其电容需不断充电以保持资料de正确.一般有2K与4K Refreshde分类,而2K比4K有较快速deRefresh但2K比4K耗电.